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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
差异
规格
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.6
15.7
写入速度,GB/s
7.2
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2390
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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