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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
11.4
15.4
写入速度,GB/s
7.4
12.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3147
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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