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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.6
17.0
写入速度,GB/s
7.2
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2820
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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