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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
差异
规格
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.6
16.5
写入速度,GB/s
7.2
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2790
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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