RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3660
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link