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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
62
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3649
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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