RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3649
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link