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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
49
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
36
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
8.2
Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2090
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