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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 49
    周辺 27% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33% 高帯域
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 7.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    9.1 left arrow 10.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2090 left arrow 2230

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