Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Note globale
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Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    36 left arrow 49
    Autour de 27% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33% bande passante supérieure
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    10.3 left arrow 9.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.2 left arrow 7.9
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    36 left arrow 49
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.1 left arrow 10.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.9 left arrow 8.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2090 left arrow 2230
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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