RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
31
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link