RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link