RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link