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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
34
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
12.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2616
2947
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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