Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Note globale
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Note globale
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.4 left arrow 16
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    33 left arrow 34
    Autour de -3% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    34 left arrow 33
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.4 left arrow 16.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.1 left arrow 12.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2616 left arrow 2947
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons