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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Comparez
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de -3% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2616
2947
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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