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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
54
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
2259
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