Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Pontuação geral
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 54
    Por volta de 54% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.3 left arrow 10.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.8 left arrow 8.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    23400 left arrow 12800
    Por volta de 1.83 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 54
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.3 left arrow 10.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.8 left arrow 8.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2646 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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