Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Puntuación global
star star star star star
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 54
    En 54% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 10.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.8 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 12800
    En 1.83 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 54
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 10.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.8 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2646 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones