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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
52
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
14900
Rund um 1.72 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
8.3
Speicherbandbreite, mbps
14900
25600
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
2196
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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