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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
総合得点
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
48
52
周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
14900
周辺 1.72 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
48
読み出し速度、GB/s
9.7
17.5
書き込み速度、GB/秒
7.2
8.3
メモリ帯域幅、mbps
14900
25600
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2173
2196
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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