Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    48 left arrow 52
    Wokół strony -8% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.5 left arrow 9.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 7.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 14900
    Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    52 left arrow 48
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.7 left arrow 17.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.2 left arrow 8.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    14900 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2173 left arrow 2196
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania