Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Gesamtnote
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gesamtnote
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Unterschiede

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    20 left arrow 26
    Rund um -30% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.9 left arrow 12.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.6 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 20
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.8 left arrow 18.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 14.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2143 left arrow 3022
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche