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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
26
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3022
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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