Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    20 left arrow 26
    Около -30% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.9 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.6 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 20
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 18.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 14.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2143 left arrow 3022
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения