RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
63
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3317
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link