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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
8.1
17.5
写入速度,GB/s
7.5
13.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3317
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2133U2S 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
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