RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
63
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
28
Velocità di lettura, GB/s
8.1
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
3317
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link