Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Unterschiede

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 33
    Rund um 27% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 14.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
    Rund um 1.11 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 14.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 11.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2196 left arrow 2590
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche