RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2590
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link