RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Comparar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
11.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2590
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link