Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Gesamtnote
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 44
    Rund um -69% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.6 left arrow 13
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 8.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    44 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.0 left arrow 15.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 11.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2069 left arrow 2808
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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