RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
31
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
10.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2605
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link