RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
60
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
2494
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link