RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
60
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2494
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link