RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Compara
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
40
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
14.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
40
Velocidad de lectura, GB/s
17.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
15.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3529
2965
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link