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G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
比較する
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
40
周辺 8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.0
14.0
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
40
読み出し速度、GB/s
17.5
16.0
書き込み速度、GB/秒
15.0
14.0
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3529
2965
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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