RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Comparez
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
40
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
14.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
40
Vitesse de lecture, GB/s
17.5
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
15.0
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3529
2965
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link