RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1678
3249
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link