RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1678
3249
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
CompuStocx (CSX) 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link