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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1678
3249
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