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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
40
En -29% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
40
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
1669
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
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