RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
1669
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link