RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
32
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1669
3347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link