RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
32
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1669
3347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link