RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2757
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link