RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2757
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link