RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3465
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link