RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3465
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Micron Technology 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link