RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3465
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link