Comparación de la memoria RAM Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Puntuación global

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

39 49

En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.5 8.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.5 5.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 10600

En 2.01% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2264 1223

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns